RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
48
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
2496
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link