RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link