RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link