RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2490
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link