RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2490
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link