RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
3239
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link