RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2876
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link