RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2148
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G4D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link