RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3082
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link