RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2237
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link