RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2740
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link