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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
9.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2740
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Kingston KF556C40-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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