RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2436
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link