RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
55
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2701
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link