RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
1902
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link