RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
1902
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link