Porównanie pamięci RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

35 43

Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15 14.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.0 9.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 2654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns