RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
3356
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link