RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2893
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link