RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
1832
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link