RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3040
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link