RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2697
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link