RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2697
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link