RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2761
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link