RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2495
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link