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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
42
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
40
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2495
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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