RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2893
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link