RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
91
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
91
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1214
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link