RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1767
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link