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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.6
9.7
写入速度,GB/s
8.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1767
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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