RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3497
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link