RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
72
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
68
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
1812
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link