RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
72
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
1812
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link