RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3038
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link