RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3083
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link