RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3199
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link