RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link