RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1660
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link