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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
44
读取速度,GB/s
12.4
8.5
写入速度,GB/s
7.5
5.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
1660
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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