RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
46
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2469
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link