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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
46
读取速度,GB/s
12.8
11.6
写入速度,GB/s
9.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
2469
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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