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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
12.3
19.7
写入速度,GB/s
8.1
16.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3927
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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