RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Причины выбрать
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 43
    Около -54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.7 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.8 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 19.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 16.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1706 left arrow 3927

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
модули RAM
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
модули RAM