RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
91
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
91
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
1214
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link