RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2436
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link