RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2417
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link