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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2099
2417
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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