RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3119
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link