RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
61
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2028
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link