RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
61
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2028
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link