RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3499
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link