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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
19
读取速度,GB/s
14.2
20.0
写入速度,GB/s
8.1
17.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
3499
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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